朗科將研發超高頻DDR5電競內存，頻率競速10000MHz

日前，首批DDR5 DRAM內存顆粒已抵達朗科研發總部，朗科正式進入DDR5內存研發階段。此批到達的顆粒為Micron DDR5 ES，IC編號為Z9ZSB，根據Micron官網查詢為ES樣品，顆粒容量為2Gx8，工作時序為40-40-40。

顆粒基于1znm工藝制造，尺寸為11x9mm，以下為高清圖賞。

朗科自2018年進入內存行業，目前已經推出新款電競及國產化內存產品，預計在今年6月推出DDR4電競RGB燈條。結合內存性能的過往發展、研發路程以及對玩家速度的追求，朗科計劃投入研發可達10000MHz以上的DDR5內存產品，敬請期待。